Две компании Toshiba и SanDisk стали партнерами в области производства NAND-памяти в 3D формате. Она обязана будет во много раз прирастить производительность и размер накопителей SSD. По сообщениям от Toshiba, планируется использовать ее японский завод Fab 2. Конкретно тут компании желают установить нужное оборудование, которое бы производило новейшие кремниевые подложки. В свою очередь, компанией SanDisk будут представлены разработки в области 3D NАND.
По сообщениям компаний, уже в 2016 году планируется пуск полномасштабного коммерческого производства памяти. Это период, когда рынок должен достигнуть размеров в 4,8 млрд баксов.
Компании убеждены, что 3D NAND поможет выполнить выпуск SSD-накопителей емкостью наиболее 1 терабайта памяти. Напомним, что сегодняшние накопители, в большинстве собственном, имеют емкость в 128 Гб. Если веровать заявлениям обеих компаний, то на NAND-память они ложут огромные надежды и считают, что делают будущие системы хранения данных.
Гендиректор компании Toshiba Semiconductor & Storage Ясуо Наруке отмечает, что модули 3D-памяти NAND могут быть вертикально обустроены обилием кластеров памяти. Это большенный прогресс, потому что нынешние чипы NАND – плоские.
В первый раз экспериментальные эталоны 3D NAND были выпущены в прошедшем году компанией Самсунг. Если судить по терминологии компании, то чипы имели заглавие V-NAND. По сообщениям Самсунг, доп объемы хранения могут быть 10-кратными по сопоставлению с нынешними чипами памяти. Компания Самсунг употребляет специальную технологию 3D Chаrgе Traр Flаsh и 20-нанометровые чипы для того, чтоб стекировать слои.
О разработках производства компании Тоshibа и SаnDisk ничего не докладывают. Но по их плану они должны быть схожими на рыночные тренды.