Компания Самсунг проинформировала о том, что она начинает общее изготовка чипов памяти, которые разработаны на базе «слоеной» технологии и предусматривающих распределение ячеек памяти на одной микросхеме. Необходимо отметить, что на базе таковых чипов в скором времени планируется сделать NAND-память новейшего поколения с завышенной производительностью и объемом.
Консульство компании заявило, что текущие «плоские» чипы памяти они продолжат маркировать как NAND, а новейшие будут называться V-NAND либо 3D-NAND. Предполагается, что в 1-ую очередь чипы новейшего эталона будут употребляться в встроенной памяти и SSD-накопителях. Емкость памяти таковых чипов будет варьироваться от 128 Гб до 1-го Тб, зависимо от определенных гаджетов.
Заметим, что 3D-NAND сейчас выпускается по 25-нм эталоне, но за счет слоеной расстановки ячеек, чипы могут вмещать в 2-3 раза больше инфы, чем их предшественники – «плоские» чипы. Кроме этого 3D-NAND в 10 раз имеет наиболее резвое чтение инфы.
В Самсунг говорят, что их методика памяти NAND дозволяет прирастить эффективность чипа и уменьшения его характеристик. На базе чипов новейшего поколения лежит разработка вертикальных интерконнектов и разработка 3D Charge Trap Flash (CTF).
Специалисты компании докладывают, что новейшие чипы на одном данном поперечнике могут располагать до 24 так именуемых «этажей» ячеек памяти. В перспективе компания собирается прирастить эти числа до 32, опосля до 64 и т.д.
В Самсунг молвят, что трехмерные чипы имеют свои физические ограничения, но они навряд ли будут достигнуты в наиблежайшее время.
Отметим, что сам по для себя стиль 3D чипов похож на наружный вид чипов со эталоном 40- либо 50-нм, но здесь эксплуатируются изоляторы, используемые для разработки «высотных» чипов.